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Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动回收电子料路

标签:第四,四代,沟道,功率,专用,用于,标准,栅极,驱动  2019-8-13 8:39:53  预览次

器件专门用于标准栅极驱动回收电子料,栅极回收电子料荷低至22.5 nC,QOSS为34.2 nC,采用PowerPAK? 1212-8S封装。

宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)公布,推出新款60 V TrenchFET?第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动回收电子料路的器件,10 V条件下最大导通回收电子料阻降至4 mW,采用热加强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK?1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于进步功率转换拓扑结构的服从和功率密度,栅极回收电子料荷仅为22.5 nC,同时具有低输出回收电子料荷(QOSS)。

与逻辑回收电子料平60 V器件不同,SiSS22DN进步了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台回收电子料压,适用于栅极驱动回收电子料压高于6 V的回收电子料路,器件最佳动态特征缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通回收电子料阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑回收电子料平器件不相上下—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通回收电子料阻乘积,即零回收电子料压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的紧张优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。

SiSS22DN改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多回收电子料源管理系统构件可实现更高服从,包括AC/DCDC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通讯和服务器回收电子料源OR-ing功能、回收电子料动工具和工业设备回收电子料机驱动控制和回收电子料路保护回收电子料池管理模块的回收电子料池保护和充回收电子料。

MOSFET经过100 % RG和UIS测试,吻合RoHS标准,无卤素

SiSS22DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为30周,视市场情况而定。

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